MOS管又稱場效應管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管的特性：
1、MOS管輸入、輸出特性
對于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0，其輸出特性和轉移特性曲線如下。
2、MOS管導通特性
MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓VGS決定其工作狀態(tài)。下面介紹MOS管的NMOS特性和PMOS特性：
⑴、NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
?、?、PMOS的特性，VGS小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。
MOS管的類型
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式：MOS管又分耗盡型與增強型，所以MOS場效應晶體管分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類：N溝道消耗型、N溝道增強型、P溝道消耗型、P溝道增強型。
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